Depolama Ekonomisinde Dönüşüm

Intel® 3D NAND Teknolojisi, daha yüksek kapasite ve ideal performans için tasarlanan bir mimari, geçişleri ve ölçeklendirmeyi hızlandıran kanıtlanmış bir üretim süreci ve birçok pazar segmenti için hızlı portföy genişletme özelliği ile flaş bellek alanındaki liderliğimizi güçlendirir.

Gücünü Intel® İnovasyonlarından Alan Depolama Kapasitesi

Intel, dünyanın ilk QLC teknolojisine sahip PCIe* SSD’lerini sunuyor. Intel® QLC 3D NAND Teknolojisi, kendisinden önceki 3D NAND teknolojisine kıyasla %33’e kadar daha yüksek kapasite1 sağlar. Ayrıca benzersiz bir şekilde performans, kapasite ve değerden oluşan güvenilir bir kombinasyon sunan PCIe* hızlandırma özelliği sunarak hem veri merkezi hem de sunucu pazarları için akıllı bir depolama çözümü ortaya koyar.

Intel® QLC Teknolojisi, kanıtlanmış 64 katmanlı yapısıyla mevcut 3D NAND teknolojisinden faydalanır ve 4bit/hücre (QLC) sağlayan yeni bir hücre ekleyerek dünyanın en yoğun flash belleğini oluşturur. Bu teknoloji aynı zamanda güvenilir ve düşük maliyetli bir depolama yöntemi olan kayan kapı hücresinden yararlanır. Intel® QLC Teknolojisi, PCIe*- (NVMe*) teknolojisi ile birlikte kullanıldığında SATA arayüzlerinden 4 kat daha fazla performans avantajı sağlar.2

Güvenilir Intel® teknolojisi ile oluşturulan ve Intel’in üretim alanındaki liderliği tarafından desteklenen Intel QLC ile geleceğe hazırlanın.

SSD Performansı Nihayet Dev Şirketlerin Değerini Karşılıyor

Veri merkezlerine yönelik Intel® QLC 3D NAND Teknolojisi, HDD sistem ayak izlerini radikal bir şekilde küçültüyor.3 Sürdürülmesi gereken sistem sayısı azaldıkça güç ve soğutma tasarrufları artarken4 sürücü değişimleriyle ilişkili operasyon ve sermaye maliyetleri düşüyor.5 Ayrıca ayak izi azalırken performans artıyor.6 PCIe* hızlandırma özelliği, QLC’nin tüm gücünü ortaya koyarak SATA darboğazlarını7 yıkıp geçiyor. Intel® 3D NAND Teknolojisi veri merkezi ürünleri, Intel® Optane™ teknolojisi ile birlikte kullanıldığında en fazla ihtiyaç duyulan verilere erişimi hızlandırarak çok daha iyi bir performans sağlıyor2.

Intel® D5-P4320 ve D5-P4326 SSD Serilerinde bulunan Intel® QLC teknolojisi ile daha fazlasını yapın, daha fazla depolayın ve daha fazla tasarruf edin. Şu anda sınırlı sayıda sevkiyat yapılmakla birlikte, 2018 kışın yaygın olarak bulunabilecektir.

Hem İnanılmaz Hem Uygun Fiyatlı

Intel® QLC 3D NAND Teknolojisi, tüketicilerin günümüz depolama ihtiyaçlarının üstesinden gelmesini ve geleceğin artan taleplerine hazırlıklı olmasını sağlar. Bu istemci SSD’ler, TLC tabanlı depolama ürünlerinden daha fazla veri saklayarak benzer ayak izlerinde 2 kata kadar daha fazla kapasite sağlar.1 Bu ezber bozan teknolojiyi PCIe* ile bir araya getiren Intel, uygun fiyatlı PCle performansı sağlıyor.

Intel® QLC 3D NAND SSD satın alın

Kapasite ve Güvenilirlik için Tasarlandı

Intel® 3D NAND Teknolojisi sektörün artan veri depolama kapasitesi talebine inovatif bir yanıt olarak ortaya çıkmıştır. Intel® 3D NAND Teknolojisi, mevcut diğer NAND çözümlerinden farklı olarak daha yüksek kapasiteli çözümleri ve yük kaybına karşı güçlü korumayla yüksek güvenilirlik sunan daha küçük hücre boyutu ve yüksek verimlilik sağlayan bellek dizisiyle kayan kapı mimarisi üzerinde tasarlanmıştır.

3D NAND Teknolojisinin Depolamayı Nasıl Geliştirdiğini Görün

Intel® 3D NAND Teknolojisi, geleneksel 2D NAND teknolojisinin kapasite sınırlamalarının üstesinden gelerek Moore Yasası'nı üç boyutta hızlandırır. 3D NAND teknolojisinin dikey katmanları, bugün alansal yoğunluğu artırırken yarın için ölçeklenebilirlik sağlar.

İnovasyon Liderliği

64 Katman Başarısı

Intel, NAND'nin 2D'den 3D'ye, çok düzeyli hücreden (MLC) üç düzeyli hücreye (TLC) ve 32 katmandan çığır açan 64 katmanlı teknolojiye geçişini gerçekleştirmek için 30 yıllık flaş hücre deneyiminden faydalanmıştır. Tüm bu geliştirmelerle, en yüksek alansal yoğunluğu sunmak8 ve 3D NAND çözümlerindeki depolama kapasitesini sunmak amaçlanmıştır.

Genişleyen Portföy

Kanıtlanmış Bir Süreçle Geliştirme

Intel, geniş bir ürün portföyüne 3D NAND teknolojisiyle inovatif ve yüksek değerli beceriler sunar. Bu mimarinin SSD çözümlerine uygun şekilde tasarlanması konusundaki deneyimimiz, performans, güç tüketimi, performans tutarlılığı ve güvenilirlik gibi özellikleri her nesilde hızla iyileştirmemizi mümkün kılar.

Üretimde Ölçeklenebilirlik

Ezber Bozan Fırsatlar

Intel, 3D NAND teknolojisini geliştirmek üzere uzun yıllardır gerçekleştirilen yüksek iş hacmiyle kanıtlanmış üretim süreçlerinden faydalanır. Intel, fabrika ağındaki güçlü nesil sinerjisiyle 3D NAND kapasitesini pazardan daha hızlı bir şekilde artırarak müşteri tabanına yıkıcı bir toplam sahip olma maliyeti ve uygulama hızlandırma olanağı sunmayı amaçlar.

Ürün ve Performans Bilgileri

1

TLC (üç seviyeli hücre), hücre başına 3 bit ve QLC (çekirdek seviyesinde hücre), hücre başına 4 bit içerir. (4-3)/3 = hücre başına %33 daha fazla bit olarak hesaplanır.

 

2

4 düğümlü vSAN Kümesi – 1 düğümlü sistem yapılandırması: Sunucu modeli: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: Dual Intel® Xeon® Gold 6142 2,6G işlemci, 16 Çekirdek/32 İş Parçacığı, 10,4GT/sn, 22M Önbellek, Turbo, HT (150W) DDR4-2666; Bellek: 16GB RDIMM, 2666MT/sn, Dual Rank x16; NIC: Intel X520-DA2 10GbE SFP+ DAC ve gömülü Intel X722 10GbE LAN. Tüm TLC yapılandırmaları: Önbellekleme için 2x Intel® SSD Data Center P4610 Serisi 1,6TB ve kapasite depolama için 4x Intel® SSD Veri Merkezi P4510 Serisi 4,0TB; Intel® Optane™ hafıza+QLC Yapılandırması: Önbellekleme için 2x Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB ve kapasite depolama için 2x Intel® SSD D5-P4320 7,68TB. 2 İş Yükü: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. VM Sayısı: 16, Veri Diski Sayısı: 8, Veri Diski Boyutu: 60 Test Edilecek Disk Sayısı: 8, Çalışma Seti Yüzdesi: 100, Disk Başına İş Parçacığı Sayısı: 4, Blok Boyutu: 4K, Okuma Yüzdesi: 70, Rastgele Yüzde: 50, Test Süresi: 3600. Sonuçlar: P4610+P4510 yapılandırma = 83.451 IOPS @ 6,3msn gecikme süresi. P4800x+P43220 yapılandırma = 346.644 IOPS @ 1,52msn gecikme süresi. 

 

3

3,5’ 4TB WD Gold TB Enterprise Sınıf 7200 RPM HDD ile 2U başına 24 HDD ve toplam 20U ve 960TB’a kadar toplam 30,72TB E1.L Intel® SSD D-5 P4326 (ileride bir tarihte sunulacak) ile 1U başına 32 ve toplam 1U ve 983TB. Buna göre 20 raf ünitesine karşılık 1 raf ünitesi.

 

4

Güç, Soğutma, Konsolidasyon maliyet tasarrufları. HDD: 7,2K RPM 4TB HDD, %2,00 AFR ve 7,7W aktif güç, 2U’da 24 sürücü (1971W toplam güç) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22W aktif güç %44 AFR, 1U’da 32 sürücü (704W toplam güç) karşılaştırmasına dayanır; Soğutma maliyeti, 5 yıllık devreye alma süresinde 158$ KWh maliyetine dayanır. 1 vatı soğutmak için gereken vat 1,20 3,5” HDD 2U 24 sürücü ve EDSFF 1U Long 1U 32 sürücü karşılaştırmasına dayanır. Önbellek için Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD kullanımına dayalı hibrit depolama.

 

5

Sürücü Değiştirme maliyet tasarrufları. Hesaplama: HDD %2 AFR x 256 sürücü x 5 yıl = 5 yılda 25,6 değiştirme; SSD: %0,44 AFR x 32 sürücü x 5 yıl = 5 yılda 0,7 değiştirme.

 

6

Intel D5-P4320 SSD ve Toshiba N300 HDD arasında 4K rastgele okuma IOP ve 32 Kuyruk Derinliği ile karşılaştırma yapar. 175.000 IOPS: Intel D5-P4320 7,68TB SSD ile ölçülen veridir. 4K rastgele okuma IOPs; Kuyruk Derinliği 32. 532 IOPS: Tom’s Hardware tarafından Toshiba N300 8TB 7,2K RPM HDD için yapılan karşılaştırmalara dayanır. 4K rastgele okuma IOPs; Kuyruk Derinliği 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Buna göre, 4K rastgele okuma IOPS değeri 329 kat daha iyidir.

 

7

PCIe* IOPS; 4K rastgele okuma, kuyruk derinliği 256 değeriyle yapılan simülasyona dayanır; performans tahminleri Intel tarafından Intel D5-P4320/D5-P4326 PCIe* tabanlı farklı kapasitelerdeki QLC SSD’ler için yapılmıştır: 3,84TB; 7,68TB; 15,36TB ve 30,72TB. SATA IOPs, Micron’un mevcut rakip SATA tabanlı SSD’leri için mümkün olan maksimum 100K IOPS değerine göre tüm kapasite noktaları için 100K IOPs olarak ayarlanmıştır. Micron 5200 Serisi NAND Flash SSD bilgi sayfası, 3,84TB ve 7,68TB SKU’lar için maksimum 4K rastgele okuma, QD32 IOPs 95K değerlerini gösterir. Bilgi sayfası şuradadır: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

2017 IEEE Uluslararası Solid-State Devreler Konferansı’nda yayınlanan ve 64 yığınlı 3D NAND bileşeni için Samsung Electronics ve Western Digital/Toshiba işlemci kalıbı (die) boyutlarını belirten makalelere göre 512 GB Intel® 3D NAND üzerinde Intel tarafından ölçülen verilerin alansal yoğunluğu karşılaştırılmıştır.