Intel® 22 nm Teknolojisi

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Dünyanın yüksek hacimli üretime hazır ilk 3D transistör.

3D, 22 nm: Performans ve Güç Verimliliği Bir Araya Geliyor

2011'de Intel, mikroişlemci aileleri için son derece farklı bir teknoloji sunarak sektöre liderlik etti: 22 nm'de üretilen 3D transistörler.

Eskiden mikroişlemcilerin temelini oluşturan transistörler, 2D (düzlemsel) cihazlardı. Intel® 3D üç kapılı transistör ve bu transistörü yüksek hacimde üretebilme becerisi, bilgisayar çipinin temel yapısında önemli bir değişimi başlatıyor. Transistör kanalının üçüncü boyuta taşınması; transistör açıkken akım akışının (en iyi performans için) en üst düzeye çıkarılmasını ve kapalıyken en düşük düzeye indirilmesini (sızıntının azaltılmasını) sağlayarak transistörün kontrolünü iyileştirdi.

Bu transistörler; Intel'in, hızlı süper bilgisayarlardan oldukça küçük mobil taşınabilir cihazlara kadar birinci sınıf ürünleri desteklemeye devam etmesini sağladı.

Transistörler Önemlidir

Transistör boyutu ve yapısı, son kullanıcıya Moore Yasası'nın avantajlarını sunma açısından önemli bir teknolojidir. Transistör ne kadar küçükse ve ne kadar enerji verimliliğine sahip olursa, genel olarak o kadar iyidir. Intel, dünyada ilklere imza atarak üretim teknolojisini öngörülebilir şekilde küçültmeye devam ediyor: 2007'de high-k/metal kapı ile 45 nm; 2009'da 32 nm, 2011'den itibaren dünyanın ilk yüksek hacimli mantık sürecinde 3D transistörü ile 22 nm ve 2014'te 2. Nesil 3D üç kapılı transistörler ile 14 nm.

Transistör teknolojisinin sürekli olarak gelişmesi, Intel'in olağanüstü güç verimliliğine sahip daha da güçlü işlemciler tasarlayabilmesini sağlıyor. Yeni işlemciler; yenilikçi mikromimarileri, Çipte Sistem (SoC) tasarımları ile sunucular ve bilgisayarlardan akıllı telefonlar ve yenilikçi tüketici ürünlerine kadar birçok yeni ürünü mümkün kılıyor.

Intel'in Silikondan 22 nm Çipleri Nasıl Yaptığını Görün

Transistörler 3. Boyuta Geçiyor

Intel 3D ve üç kapılı transistörler, 3 boyutlu bir yapıda silikon kanalın etrafını saran üç adet kapı kullanır; bu sayede benzersiz bir performans ve enerji verimliliği elde edilir. Intel, 3D ve üç kapılı transistörünü tasarlarken akıllı telefonlar ve tabletler gibi taşınabilir cihazlarda kullanım için benzersiz, ultra düşük güç tüketimi avantajları sunmayı amaçlamış, aynı zamanda yüksek teknolojili işlemciler için beklenen gelişmiş performansı sağlamayı da hedeflemiştir.

Intel'in 22 nm transistör teknolojisi ile ilgili daha fazla bilgi edinin ›

3. Nesil Intel® Core™ İşlemci

2011'in sonunda piyasaya sürülen 3. Nesil Intel® Core™ işlemci, 3D transistörlerin kullanıldığı ilk yüksek hacimli çip oldu.